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パワーマネジメントIC(Greenchip、STARplug)、μTrenchMOS、LDMOS
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- NXP Semiconductors
- http://www.jp.nxp.com/
● 特徴
・1 チップで PFC + フライバックをコントロール
- PCB 実装面積、部品点数を削減
・PFC にバーストモード機能を搭載
- 低負荷時にも高効率駆動
・スイッチング 損失の低減 (Valley / zaro-voltage switching)
・保護機能(ラッチ)
- 過電流、過電圧
- 熱保護
● 設計時間の短縮
・PFC、フライバックコントローラ間のインターフェイス不要
・スタートアップ時のコントロールが容易
・Vcc 入力部、1つの電解コンデンサのみで動作
・Integrated 650V MOSFET
・幅広い Vcc 動作範囲
・Valley switching for increased effeciency and lower EMI
・High voltage start-up current disabled normal operation
・Frequency reduction at low output power for low-power standby
・Switching can be stopped (0% duty cycle)
・Internal error amplifier enabling primary sensing
・Built-in protections for robst design
・高周波DC/DCアプリケーション要求に応える為、NXPのパワー・パッケージ(LFPAK)は、高効率と高信頼を提供します。SO8と同じフットプリントでありながら、DPAKパッケージに匹敵する熱性能と電気性能を実現しています。
●特徴
・従来のパワー・パッケージと同じ、堅牢なSO8 パワー・パッケージ
・低熱抵抗(2K/W)
・AEC-Q101 に準拠
・IPC 熱疲労要件をクリア
・保護部品点数を削減(例:R&C サージアブソーバ、インダクタ)
・誤動作対策、信頼性向上
・豊富なポートフォリオから、ゲート感度とノイズ耐性のバランスの取れた製品を選択が可能
・4Q品より、dVD/dt、dVcom/dt、dlcom/dt が大幅に改善
・トリガーゲート電流は 5mA から 50mA を選択可
・電流実効値は 0.8A から 25A
・6パッケージ、表面実装とスルーホール
・電圧は 600V, 800V, 1000V








