ＳＯＩデバイスでは酸化膜の上にトランジスタが形成されております。
その構造からバルクデバイスに比べ以下のような利点が生じます。
１．消費電力が低減
２．誤動作耐性が向上
３．低電圧動作が可能　
これらの特徴を生かしたＳＯＩ商品はリアルタイムクロックＬＳＩなどを用意させて頂いております。