P2ROM(Production Programmed ROM)は、短TATの読み出し専用メモリです。
■特徴
　●短TAT
　　データを最終テスト工程で書き込む為、前処理工程
　　でデータを書き込みマスクROMより断然有利です。
　●在庫フリー
　　お客様がブランク品を在庫として保有する必要は
　　ありません。
　●マスクチャージフリー
　　マスクROMのマスクチャージの様なコード毎に発生
　　する費用は一切ありません。
　●書込み追加費用無し
　　OTP、Flashメモリ等で必要となる書込みのための
　　追加費用は一切ありません。
　●特殊捺印可能
　　マスクROM同等の特殊捺印が可能です。

4M～64MbitのFastPage、EDO、SiP用DRAM、さらには4M～256MbitのSDRAMをラインナップしてレガシーDRAMを長期安定供給致します。
またカスタム仕様として、BGA組立品(小型ﾊﾟｯｹｰｼﾞ)、低消費電力品、低電圧品(2.5V/2.0V/1.8V)、温度拡張品(-40℃?＋85℃)、ウェハ品の対応も可能です。

高速、大容量のメモリが要求される映像機器向けとして、２Ｍｂから３２Ｍｂまでの画像用ＦＩＦＯメモリのラインナップが充実しております。他にもシンクロナスＳＧＲＡＭ、ＶＲＡＭなど多種多様にわたっております。
主な用途としては、民生用ＴＶ、ＶＴＲなどのグラフィックシステムのメモリとして最適です。

強誘電体プロセスとシリコンゲートCMOSプロセス技術により開発された32Kbit～２Mbit構成の強誘電体ランダムアクセスメモリ（FeRAM：Ferroelectric Random Access Memory）です。
メモリセルは不揮発性であるため、データ保持は、SRAMのような電池によるバックアップは不要です。
インタフェースはSPI、I2CとパラレルI/Fの3タイプを用意しております。
・高速ランダムリードライト（リードライトサイクル：150ns）
　……Flash/EEPROMの数千倍～数万倍
・高リードライト耐性：1012回（１兆回）
　　……Flash/EEPROMの100万倍～1000万倍
・データ保証期間：10年